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电压关型SPD。在没有瞬时过电压时呈现高阻抗，一旦响应雷电瞬时过电压，其阻抗就突变为低阻抗，允许雷电流通过，也被称为“短路关型SPD”。限压型SPD。当没有瞬时过电压时，为高阻抗，但随电涌电流和电压的增加，其阻抗会不断减小，其电流电压特性为强烈非线性，有时被称为“钳压型SPD”。组合型SPD。由电压关型组件和限压型组件组合而成，可以显示为电压关型或限压型或两者兼有的特性，这决定于所加电压的特性。

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学习电路图是工程师必修的课程，这里我们不讲死板的理论，用 为通俗的文字来理解电路图怎么看电路走向。“正极永远是起点，负极永远是终点”，记住这14个字，无论正极流到负极前，中间出现什么样的圈圈叉叉，电路总是起点始到终点结束，而中间所出现的分支不过像是游戏中出现的支线任务， 终的目标还是指向终点。而中间尽管出现再多的路，也不是每条都会有“人”。比如电流从灯泡过去，然后从电阻电路回去，于是电阻所在电路出现短路，即终点在负极，所以电路不会跑回路。我们知道晶体三极管具有电压、电流放大功能，有饱和、放大、截止三个工作区，有共射、共基、共集三种基本接法，其输入、输出信号随接法不同而相位不同，下面就共射接法各点电压、电流变化情况一探讨。通过分析我们可以进一步认识三极管的放大原理，为电路分析打下良好的基础。共发射极放大电路上图中CC2分别是输入、输出耦合电容，Rb为基极偏置电阻，Rc为集电极负载电阻，VT为npn三极管，输入电压为u发射结输入电压为u集电极负载电阻Rc两端电压为u集电极发射极之间的电压为u 的输出电压为u5，基极电流为ib，集电极电流为ic，电源为Ec，该电路属于典型的、基本的共射放大电路，也即输入和输出的公共端为发射极。且红笔所接的脚是K极，黑笔接的脚是G极，剩下一个脚就是A极了。如果测量的结果中，有两个脚的正、反向值都是几十至几百欧，那么这个可控硅就是双向可控硅。而且有一次测量的阻值比另一次测量的阻值稍大些，需要认真对比，阻值稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。双向可控硅图可控硅好坏的判断：就拿常见的额定6A以下的可控硅来说明：单向可控硅，将万用表打到RX1档红笔接K极，黑笔同时接通A极，并保持黑笔不离A极情况下断G极，指针应指示几十欧至一百欧，说明可控硅能被正常触发导通。MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性，控制电路的导通和断来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端，其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。