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万用表测量交流电的有效值，常用的有三种方法：方法一：峰值整流我们知道，交流电的有效值为峰峰值的0.707倍，所以知道了峰峰值也就知道了有效值。这个电路的优点是电路简单，缺点是非正弦波信号不准。电路如下图所示：方法二：平均值整流，又称均方根整流这和常见的桥式整流没什么区别，知道了整流后的电压也就知道了有效值。比峰值整流好点，但精度还是不太够，常用在3位半左右的数字表中。电路如下图所示：方法三：真有效值电路本方法用在比较 一点的表中，应用此电路的数字表会在描述中写“真有效值测量”。plc通信主要采用串行异步通信，其常用的串行通信接口标准有RS-2 和RS-422，与上位机通讯时，就是PLC与计算机通信，如果传输距离小于16米可以直接用串口RS-232，如果大于16米就要用PS-232/RS-422转换器将其转换成RS-422然后再与计算机相连。RS-232接口数据传输速率低，传输距离有限，抗干扰能力差，RS-422采用全双工的通信方式，采用差分传输方式，抗共模干扰能力增强。SPD是电子设备雷电防护中不可缺少的一种装置，其作用是把窜入电力线、信号传输线的瞬时过电压限制在设备或系统所能承受的电压范围内，或将强大的雷电流泄流入地，保护被保护的设备或系统不受冲击。浪涌保护器的类型和结构按不同的用途有所不同，但它至少应包含一个非线性电压限制元件。用于浪涌保护器的基本元器件有：放电间隙、充气放电管、压敏电阻、二极管和扼流线圈等。按其工作原理分类，SPD可以分为电压关型、限压型及组合型。主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。其优点在于具有四象限运行能力，可以制动。需要特别说明的是，该类变频器由于较低的输入功率因数和较高的输入输出谐波，故需要在其输入输出侧高压自愈电容。高电压型变频器电路结构采用IGBT直接串联技术，也叫直接器件串联型高压变频器。其在直流环节使用高压电容进行滤波和储能，输出电压可达6KV，其优点是可以采用较低耐压的功率器件，串联桥臂上的所有IGBT作用相同，能够实现互为备用，或者进行冗余设计。缺点是电平数较低，仅为两电平，输出电压dV/dt也较大，需要采用特种电动机或整加高压正弦波滤波器，其成本会增加许多。