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中电阻R1和R2的取值必须使当输入为+VCC时的三极管可靠地饱和，即有βIbIes在.21中设Vcc=5V，Ies=50mA,β=100,则有Ib0.5mA而Ib=(Vcc-Vbe)/R1-Vbe/R2若取R2=4.7K，则R16.63K,为了使三极管有一定的饱和深度和兼顾三极管电流放大倍数的离散性，一般取R1=3.6K左右即可。若取R1=3.6K，当集成电路控制端为+VCC时，应能至少1.2mA的驱动电流(流过R1的电流)给本驱动电路，而许多集成电路(标准8051单片机)输出的高电平不能达到这个要求，但它的低电平驱动能力则比较强(标准8051单片机I/O口输出低电平能20mA的驱动电流(这里说的是漏电流))，则应该用如.22所示的电路来驱动继电器。

公司本着“为人类节省资源，为社会节约财富”的宗旨，以“诚信为本，服务为先，环保为主”的经营理念。
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4、裸电线体制品：钢芯铝绞线、铜铝汇流排、电力机车线等

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　　3.电缆与铁路或道路交叉时应穿管保护，保护管应伸 道或路面2m以外。4.电缆与建筑物基础的距离，应能保证电缆埋设在建筑物散水以外；电缆引入建筑物时应穿管保护，保护管亦应超出建筑物散水以外。5.直接埋在地下的电缆与一般接地装置的接地之间应相距0.25~0.5m；直接埋在地下的电缆埋设深度，一般不应小于0.7m，并应埋在冻土层下。器(CPU)：刚跟大家讲过，需要提醒的是MCS-51的CPU能8位二进制数或代码。CPU是单片机的主要核心部件，在CPU里面包含了运算器、控制器以及若干寄存器等部件给成。内部数据存储器(RAM)：MCS-51单片机芯片共有256个RAM单元，其中后128单元被专用寄存器占用(稍后我们详解)，能作为寄存器供用户使用的只是前128单元，用于存放可读写的数据。因此通常所说的内部数据存储器就是指前128单元，简称内部RAM。!Proteus!现在回头想想模电的理论知识也不难，虽然我们掌握了，但是在应用的时候却无可下手，这是为什么呢？其实无从下手的主要原因是我们对电子元器件没有“感觉”，对、就是“感觉”，学习知识有时候也是需要感觉的，就拿一个4700u耐压30V的滤波电容来说吧，我们给他串联一个10k的电阻，现在如果给他用10V的直流电充电，你知道充电几秒钟能充满吗？这时候你可能又要拿出公式计算了，这时候RC充放电的公式你如果忘了呢？这些都是阻碍学习的阻力，我们的理论知识可能不比一些的工程师差，笔者现在的同事有很多老工程师，他们遇到这种问题，没有一个计算的，而是直接凭感觉就能知道。看电工线路，首先需要区分线路的类型和用途、功能，在对其有一个整体的认识后，通过熟悉的各种元器件的图形符号建立起对应关系，然后再结合线路特点寻找该线路中的工作条件、控制部件等。结合相应的电工、电子线路、电子元器件、电气元件功能和原理知识，理清信号流程， 终掌握线路控制机理或线路功能，完成识图过程。简单来说，识读电工线路可分为7个步骤。区分线路类型---明确用途---建立对应关系，划分线路---寻找工作条件---寻找控制部件---确立控制关系---理清信号流程， 终掌握控制机理和线路功能。我们知道,单片机外部输入的中断触发电平是TTL电平。对于TTL电平，TTL逻辑门输出高电平的允许范围为2.4~5V，其标称值为3.6V；输出低电平的允许范围为0~0.7V，其标称值为0.3V，在0.7V与2.4V之间的是非高非低的中间电平。这样，在实际应用中，设单片机外部中断引脚INT0输入一路由＋5V下降到0V的下降沿信号，单片机在某个时钟周期采样INT0引脚得到2.4V的高电平；而在下一个时钟周期到来进行采样时，由于实际的外部输入中断触发信号由高电平变为低电平往往需要一定的时间，检测到的可能并非真正的低电平（小于0.7V），而是处于低电平与高电平之间的某一中间电平，即0.7~2.4V的某一电平。